<?xml version='1.0' encoding='UTF-8'?>
<ArticleSet>
  <Article>
    <Journal>
      <PublisherName>موسسه انتشارات بین المللی چتر اندیشه</PublisherName>
      <JournalTitle>فصلنامه مدیریت مهندسی و تحول دیجیتال</JournalTitle>
      <Issn>3092-7609</Issn>
      <Volume>2</Volume>
      <Issue>1</Issue>
      <PubDate PubStatus="epublish">
        <Year></Year>
        <Month></Month>
        <Day></Day>
      </PubDate>
    </Journal>

    <ArticleTitle>بررسی خواص ساختاری و حسگری لایه&amp;not;های نازک اکسید روی نسبت به دمای زیر لایه تهیه شده به روش APCVD</ArticleTitle>
    <VernacularTitle>بررسی خواص ساختاری و حسگری لایه های نازک اکسید روی نسبت به دمای زیر لایه تهیه شده به روش APCVD</VernacularTitle>
    <FirstPage>0</FirstPage>
    <LastPage>0</LastPage>
    <ELocationID EIdType="doi">10.22051/jera.2021.31891.2698</ELocationID>
    <Language>FA</Language>

    <AuthorList>
      <Author>
        <FirstName>بتول</FirstName>
                <Affiliation>گروه فیزیک دانشکده علوم پایه دانشگاه گیلان، رشت</Affiliation>
      </Author>
      <Author>
        <FirstName>سید</FirstName>
                <Affiliation>گروه فیزیک دانشکده علوم پایه دانشگاه گیلان، رشت</Affiliation>
      </Author>
      <Author>
        <FirstName>فاطمه</FirstName>
                <Affiliation>گروه فیزیک دانشکده علوم پایه دانشگاه گیلان، رشت</Affiliation>
      </Author>
    </AuthorList>

    <PublicationType></PublicationType>

    <History>
      <PubDate PubStatus="received">
        <Year></Year>
        <Month></Month>
        <Day></Day>
      </PubDate>
    </History>

    <Abstract>در این تحقیق لایه&amp;not;های نازک اکسید روی به با استفاده از روش لایه نشانی نهشت بخار شیمیایی در اتمسفر بر روی زیرلایه&amp;not;های شیشه ای در دماهای 450 تا 550 درجه سانتیگراد به منظور کاربرد در حسگر گاز اتانول نهشته گردیدند. دیگر شرایط لایه نشانی برای تمامی نمونه&amp;not;ها ثابت بوده است که عبارتند از : زمان لایه شانی که 2 دقیقه و میزان ماده که 1/0 گرم بوده است. الگوی پراش پرتو ایکس نمونه&amp;not;ها نشان از شدت گرفتن جهتگیری (100) با افزایش دمای زیر لایه دارد. بررسی تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی نشان می&amp;not;دهد که افزایش دمای زیر لایه ابتدا سبب بزرگ شدن دانه&amp;not;ها می شوند و این افزایش از دمای زیر لایه 525 درجه&amp;not;ی سانتیگراد متوقف شده و دانه&amp;not;ها شروع به کوچک شدن می&amp;not;کنند. همچنین میزان حساسیت نمونه&amp;not;ها به ازایppm2500 از گاز اتانول در دماهای 125 تا 410 درجه سانتیگراد مورد برسی قرار گرفت و بیشترین میزان حساسیت متعلق با نمونه&amp;not;ی تهیه شده در دمای لایه نشانی 450 درجه&amp;not;ی سانتیگراد با دمای کار 345 درجه&amp;not;سانتیگراد است.</Abstract>
    <OtherAbstract Language="FA">در این تحقیق لایه&amp;not;های نازک اکسید روی به با استفاده از روش لایه نشانی نهشت بخار شیمیایی در اتمسفر بر روی زیرلایه&amp;not;های شیشه ای در دماهای 450 تا 550 درجه سانتیگراد به منظور کاربرد در حسگر گاز اتانول نهشته گردیدند. دیگر شرایط لایه نشانی برای تمامی نمونه&amp;not;ها ثابت بوده است که عبارتند از : زمان لایه شانی که 2 دقیقه و میزان ماده که 1/0 گرم بوده است. الگوی پراش پرتو ایکس نمونه&amp;not;ها نشان از شدت گرفتن جهتگیری (100) با افزایش دمای زیر لایه دارد. بررسی تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی نشان می&amp;not;دهد که افزایش دمای زیر لایه ابتدا سبب بزرگ شدن دانه&amp;not;ها می شوند و این افزایش از دمای زیر لایه 525 درجه&amp;not;ی سانتیگراد متوقف شده و دانه&amp;not;ها شروع به کوچک شدن می&amp;not;کنند. همچنین میزان حساسیت نمونه&amp;not;ها به ازایppm2500 از گاز اتانول در دماهای 125 تا 410 درجه سانتیگراد مورد برسی قرار گرفت و بیشترین میزان حساسیت متعلق با نمونه&amp;not;ی تهیه شده در دمای لایه نشانی 450 درجه&amp;not;ی سانتیگراد با دمای کار 345 درجه&amp;not;سانتیگراد است.</OtherAbstract>

    <ObjectList>
      <Object Type="keyword">
        <Param Name="value">روی اکسید، لایه نازک، نهشت بخار شیمیای، حسگر گازی، دمای کار، اتانول</Param>
      </Object>
    </ObjectList>

    <ArchiveCopySource DocType="pdf">/downloadfilepdf/13139</ArchiveCopySource>
  </Article>
</ArticleSet>
