موسسه انتشارات بین المللی چتر اندیشه فصلنامه مدیریت مهندسی و تحول دیجیتال 3092-7609 2 3 fabrication and characterization of Cu2O thin films by using thermal oxidation for solar cells ساخت و مشخصه یابی فیلم های نازک اکسید مس با استفاده از روش اکسیداسیون حرارتی جهت کاربردپذیری در سلول‌های خورشیدی 0 0 10.22051/jera.2021.31891.2698 FA نجمه دانشجوی کارشناسی ارشد،گروه برق،واحد سبزوار،دانشگاه حکیم سبزواری،سبزوار،ایران، najme.khezriyan@gmail.com محمد استادیار و عضو هیئت علمی دانشکده مهندسی برق دانشگاه حکیم سبزواری جواد عضو هیئت علمی دانشکده فیزیک دانشگاه حکیم سبزواری In this study, copper oxide thin films were prepared by thermal oxidation at temperatures of 700 ° C, 800 ° C and 1000 ° C in a tube furnace with argon gas for use in solar cells. Other layer conditions were fixed for all samples, including time of deposition and sample size. The X-ray diffraction pattern of the samples shows an increase in the tenorite mineral due to the increase in temperature and time. Examination of the electrical resistance of the specimens showed an increase in the electrical resistance with increasing the annealing temperature of the specimens لایه های نازکی از اکسید مس با استفاده از روش اکسیداسیون حرارتی خشک در سه دمای مختلف 700، 800 و1000 درجه سانتیگراد درون کوره تیوبی در اتمسفر کنترل شده گاز آرگون و اکسیژن، به منظور کاربرد در سلول خورشیدی رشد داده شدند. زمان لایه نشانی، ابعاد نمونه ها و دبی گاز ورودی در شرایط رشد هر سه نمونه یکسان در نظر گرفته شد و نمونه ها تحت آزمونهای XRD و تعیین مقاومت سطحی به روش 4PP قرار گرفتند. الگوی پراش پرتو ایکس نمونه ها نشان از افزایش ماده معدنی تنوریت بر اثر افزایش دما دارد. بررسی مقاومت الکتریکی نمونه ها نیز نشان میدهد که دمای رشد بالاتر منجر به افزایش مقاومت الکتریکی سطحی می شود. /downloadfilepdf/413702